Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY - XP34APD

Kredity 4
Semestry oba
Zakončení zkouška
Jazyk výuky čeština
Rozsah výuky 2P+2C
Anotace
Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.

\\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/XP34APD
Cíle studia
Žádná data.
Osnovy přednášek
1. Fyzikální a technologické struktury
2. Trendy vývoje
3. Parametry a aplikace
4. Struktury bipolární
5. Struktury MOS
6. Struktury BiMOS
7. Diody PN
8. Schottkyho diody
9. Bipolární tranzistory
10. Tranzistory MOS a IGBT
11. Tyristory (včetně GTO a GCT)
12. Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast
13. Smart power součástky
14. Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace
Literatura
B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000