Struktury a technologie VLSI - XP34STV

Kredity 4
Semestry zimní
Zakončení zkouška
Jazyk výuky čeština
Rozsah výuky 2P+2C
Anotace
Funkční struktury IO. Bipolární, unipolární a BIMOS struktury. Struktury 3D, submikronové struktury. Problémy zmenšování struktur. Paměťové, testovací struktury. Technologické procesy VLSI. Nové technologie. Návrh IO. Návrh topografie (layout). Návrhová pravidla. Spolehlivost a výtěžnost. Perspektivy vývoje. Omezení při vývoji IO.

\\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/XP34STV
Cíle studia
Žádná data.
Osnovy přednášek
1. Funkční struktury submikronových IO
2. Návrh analogových bloků, layout
3, Technologie SOI, SiGe, Strained Silicon
4. Struktury 3D
5. Submikronové struktury
6. Paměťové struktury
7. Testovací struktury
8. technologické procesy VLSI
9. Pokročilé polovodičové technologie
10. Návrh IO, návrh technologie
11. Návrhová pravidla
12. Spolehlivost a výtěžnost
13, Perspektivy a omezení vývoje IO
14. rezerva
Literatura
Behzad Razavi: "Design of Analog CMOS Integrated Circuits", McGraw-Hill Education - Europe (December 1, 2000)
Paul R. Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis, Robert G. Meyer: "Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (4th Edition)", Wiley 2001
Behzad Razavi: "RF Microelectronics", Prentice Hall PTR 1997