Moodle FEL ČVUT
Technologické procesy pro elektrotechniku
B232 - Letní 23/24
Technologické procesy pro elektrotechniku - B1B13TEP
| Kredity | 4 |
| Semestry | letní |
| Zakončení | zápočet a zkouška |
| Jazyk výuky | čeština |
| Rozsah výuky | 3P+2L |
Anotace
Budou charakterizovány technologie používané v elektronice, laserové a další svazkové technologie, pouzdření IO. Dále budou zmíněny základy výroby vinutí, sušicí a impregnační procesy. Součástí předmětu jsou také základy výroby monokrystalů Si. Dále budou prezentovány svazkové technologie, technologie využívající plazmatu, pouzdření a základní montážní technologie. Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD1B13VST \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/A1B13VST
Cíle studia
Studenti se seznámí se základními typy technologických procesů užívaných v elektrotechnických výrobách a se základními typy výkonových elektronických součástek a jejich vlastnostmi.
Osnovy přednášek
1. Lasery a laserový svazek jako technologický nástroj. Aplikace laserového svazku.
2. Elektronový, iontový a molekulární svazek. Zdroje, technologie a aplikace.
3. Plazmat a technologie využívající plazmatu. Aplikace. Výroba monokrystalů Si.
4. Pouzdření elektronických součástek. Technologie elektronické montáže.
5. Odporový, indukční a dielektrický ohřev a jejich aplikace. Princip magnetronu.
6. Procesy v silových elektrických a proudových polích.
7. Principy, materiály, technologie a aplikace 3D tisku.
8. Základy technologie a výroby vinutí.
9. Technologie sušení a impregnace v elektrotechnice.
10. Vodiče a supravodiče pro elektrotechnická zařízení.
11. Metalické kabely pro výkonové a sdělovací aplikace.
12. Technologie povrchových úprav a ochran.
13. Technologie silových vodičů a kabelů.
14. Výrobní systémy v elektrotechnice a jejich uspořádání.
2. Elektronový, iontový a molekulární svazek. Zdroje, technologie a aplikace.
3. Plazmat a technologie využívající plazmatu. Aplikace. Výroba monokrystalů Si.
4. Pouzdření elektronických součástek. Technologie elektronické montáže.
5. Odporový, indukční a dielektrický ohřev a jejich aplikace. Princip magnetronu.
6. Procesy v silových elektrických a proudových polích.
7. Principy, materiály, technologie a aplikace 3D tisku.
8. Základy technologie a výroby vinutí.
9. Technologie sušení a impregnace v elektrotechnice.
10. Vodiče a supravodiče pro elektrotechnická zařízení.
11. Metalické kabely pro výkonové a sdělovací aplikace.
12. Technologie povrchových úprav a ochran.
13. Technologie silových vodičů a kabelů.
14. Výrobní systémy v elektrotechnice a jejich uspořádání.
Osnovy cvičení
1. Organizace výuky. Bezpečnost v laboratoři. Objasnění 1. skupiny úloh.
2. Realizace I. skupiny úloh.
3. Realizace I. skupiny úloh.
4. Realizace I. skupiny úloh.
5. Realizace I. skupiny úloh.
6. Realizace I. skupiny úloh.
7. Realizace I. skupiny úloh.
8. Realizace II. skupiny úloh.
9. Realizace II. skupiny úloh.
10. Realizace II. skupiny úloh.
11. Realizace II. skupiny úloh.
12. Realizace II. skupiny úloh.
13. Realizace II. skupiny úloh.
14. Zápočet.
I. skupina úloh
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.
II. skupina úloh
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.
2. Realizace I. skupiny úloh.
3. Realizace I. skupiny úloh.
4. Realizace I. skupiny úloh.
5. Realizace I. skupiny úloh.
6. Realizace I. skupiny úloh.
7. Realizace I. skupiny úloh.
8. Realizace II. skupiny úloh.
9. Realizace II. skupiny úloh.
10. Realizace II. skupiny úloh.
11. Realizace II. skupiny úloh.
12. Realizace II. skupiny úloh.
13. Realizace II. skupiny úloh.
14. Zápočet.
I. skupina úloh
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.
II. skupina úloh
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.
Literatura
1. Schaaf, P.: Laser processing of materials. Springer. 2012
2. Plasma processing, Hephaestus books, 2011
3,. Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011
4. Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001
5. Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000
2. Plasma processing, Hephaestus books, 2011
3,. Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011
4. Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001
5. Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000
Požadavky
Účast na cvičení je povinná. Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce. U zkoušky bude požadována znalost odpřednášené látky, vybraných studijních materiálů a látky probrané ve cvičeních.