Počet kreditů 4
Vyučováno v Letní
Rozsah výuky 2P+2C
Garant předmětu
Přednášející Jan Voves
Cvičící Jan Voves

Základy počítačem podporovaného technologického návrhu. Device simulátor ATLAS a Sentaurus: principy a aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, lavinové ionizace, pohyblivosti. Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle zaměření disertačních prací. \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/XP34AT

Fyzika pevných látek

Osvojení teoretických základů a praktické aplikace simulátorů elektronických součástek a struktur.

  1. Základy počítačem podporovaného technologického návrhu
  2. Simulátory technologií
  3. Device simulator.
  4. ATLAS: princip, aplikace
  5. Základní rovnice
  6. Okrajové podmínky
  7. Numerické metody
  8. Modely rekombinace
  9. Modely lavinové ionizace
  10. Modely pohyblivosti
  11. Mixed-mode simulace.
  12. Rovnice vedení tepla.
  13. Příklady simulací.
  14. Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle
zaměření disertačních prací

Viz anotace.

T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, Wiley, 1999

Rozvrh předmětu
Po
Út
St
Čt
PřednáškyCvičení