Počet kreditů 4
Vyučováno v Zimní a letní
Rozsah výuky 2P+2C
Garant předmětu
Přednášející Jan Vobecký
Cvičící Jan Vobecký

Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.

\\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/XP34APD

  1. Fyzikální a technologické struktury
  2. Trendy vývoje
  3. Parametry a aplikace
  4. Struktury bipolární
  5. Struktury MOS
  6. Struktury BiMOS
  7. Diody PN
  8. Schottkyho diody
  9. Bipolární tranzistory
  10. Tranzistory MOS a IGBT
  11. Tyristory (včetně GTO a GCT)
  12. Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast
  13. Smart power součástky
  14. Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace

B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000

Rozvrh předmětu
Po
Út
St
Čt
PřednáškyCvičení