Toto je tzv. shluknutý kurz. Skládá se z několika samostatných předmětů, které sdílejí výukové materiály, úkoly, testy apod. Níže si můžete zobrazit informace o jednotlivých předmětech tvořících tento shluk.

Výkonové součástky a technologie - B1B13VST

Hlavní kurz
Kredity 5
Semestry letní
Zakončení zápočet a zkouška
Jazyk výuky čeština
Rozsah výuky 3P+2L
Anotace
Budou charakterizovány technologie používané v elektronice, laserové a vrstvové technologie, pouzdřebí IO. Dále budou zmíněny základy výroby vinutí, sušicí a impregnační procesy. Součástí předmětu jsou také základy polovodičových technologií, výroby a kontroly diskrétních polovodičových součástek, včetně technologie výkonové integrace. Dále budou prezentovány svazkové technologie, technologie využívající plazmatu, pouzdření a základní montážní technologie. \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD1B13VST \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/A1B13VST
Cíle studia
Studenti se seznámí se základními typy technologických procesů užívaných v elektrotechnických výrobách a se základními typy výkonových elektronických součástek a jejich vlastnostmi.
Osnovy přednášek
1. Lasery a laserový svazek jako technologický nástroj. Aplikace laserového svazku
2. Elektronový svazek jako technologický nástroj. Zdroje elektronového svazku. Plazmové technologie.
3. Tenké vrstvy. Použití tenkých vrstev.
4. Tlusté vrstvy. Dilelektrický ohřev.
5. Indukční ohřev. Technologie v silovém elektrickém nebo proudovém poli.
6. Základy technologie vinutí.
7. Sušení v elektrotechnické výrobě.
8. Technologie impregnace.
9. Technologie silových vodičů a kabelů.
10. Výkonové diody, diody PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
11. Bipolární tranzistor. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky. Tyristory (SCR), vypínatelné součástky GTO, GCT, IGCT.
13. Napěťově řízené součástky, výkonové MOSFETy. Tranzistor IGBT, struktura a parametry.
14. Pasivní součástky pro užití ve výkonových obvodech.

Osnovy cvičení
1. Organizace výuky. Bezpečnost v laboratoři. Objasnění 1. skupiny úloh.
2. Realizace I. skupiny úloh.
3. Realizace I. skupiny úloh.
4. Realizace I. skupiny úloh.
5. Realizace I. skupiny úloh.
6. Realizace I. skupiny úloh.
7. Realizace I. skupiny úloh.
8. Realizace II. skupiny úloh.
9. Realizace II. skupiny úloh.
10. Realizace II. skupiny úloh.
11. Realizace II. skupiny úloh.
12. Realizace II. skupiny úloh.
13. Realizace II. skupiny úloh.
14. Zápočet.

I. skupina úloh
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.

II. skupina úloh
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.
Literatura
Schaaf, P.: Laser processing of materials. Springer. 2012
Plasma processing, Hephaestus books, 2011
Chopra, K. L., Kaur, I.: Thin films devices applications. Plenum Press, 2011
Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011
Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001
Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000
Požadavky
Účast na cvičení je povinná. Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce. U zkoušky bude požadována znalost odpřednášené látky, vybraných studijních materiálů a látky probrané ve cvičeních.

Výkonové součástky a technologie - BD5B13VST

Kredity 4
Semestry letní
Zakončení zápočet a zkouška
Jazyk výuky čeština
Rozsah výuky 14KP+6KL
Anotace
Budou charakterizovány technologie používané v elektronice, laserové a vrstvové technologie, pouzdřebí IO. Dále budou zmíněny základy výroby vinutí, sušicí a impregnační procesy. Součástí předmětu jsou také základy polovodičových technologií, výroby a kontroly diskrétních polovodičových součástek, včetně technologie výkonové integrace. Dále budou prezentovány svazkové technologie, technologie využívající plazmatu, pouzdření a základní montážní technologie. \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD1B13VST \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/A1B13VST
Cíle studia
Studenti se seznámí se základními typy technologických procesů užívaných v elektrotechnických výrobách a se základními typy výkonových elektronických součástek a jejich vlastnostmi.
Osnovy přednášek
1. Lasery a laserový svazek jako technologický nástroj. Aplikace laserového svazku
2. Elektronový svazek jako technologický nástroj. Zdroje elektronového svazku. Plazmové technologie.
3. Tenké vrstvy. Použití tenkých vrstev.
4. Tlusté vrstvy. Dilelektrický ohřev.
5. Indukční ohřev. Technologie v silovém elektrickém nebo proudovém poli.
6. Základy technologie vinutí.
7. Sušení v elektrotechnické výrobě.
8. Technologie impregnace.
9. Technologie silových vodičů a kabelů.
10. Výkonové diody, diody PIN a Schottkyho diody. Struktura, základní charakteristiky.
11. Bipolární tranzistor. Struktura, základní charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky. Tyristory (SCR), vypínatelné součástky GTO, GCT, IGCT.
13. Napěťově řízené součástky, MOSFET, tranzistor IGBT, struktura, základní charakteristiky.
14. Pasivní součástky pro užití ve výkonových obvodech.

Osnovy cvičení
1. Organizace výuky. Bezpečnost v laboratoři. Objasnění 1. skupiny úloh.
2. Realizace I. skupiny úloh.
3. Realizace I. skupiny úloh.
4. Realizace I. skupiny úloh.
5. Realizace I. skupiny úloh.
6. Realizace I. skupiny úloh.
7. Realizace I. skupiny úloh.
8. Realizace II. skupiny úloh.
9. Realizace II. skupiny úloh.
10. Realizace II. skupiny úloh.
11. Realizace II. skupiny úloh.
12. Realizace II. skupiny úloh.
13. Realizace II. skupiny úloh.
14. Zápočet.

I. skupina úloh
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.

II. skupina úloh
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.
Literatura
Schaaf, P.: Laser processing of materials. Springer. 2012
Plasma processing, Hephaestus books, 2011
Chopra, K. L., Kaur, I.: Thin films devices applications. Plenum Press, 2011
Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011
Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001
Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000
Požadavky
Účast na cvičení je povinná. Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce. U zkoušky bude požadována znalost odpřednášené látky, vybraných studijních materiálů a látky probrané ve cvičeních.