Moodle FEL ČVUT
Výroba elektrotechnických součástek
B232 - Letní 23/24
Výroba elektrotechnických součástek - B1B13VES
| Kredity | 6 |
| Semestry | letní |
| Zakončení | zápočet a zkouška |
| Jazyk výuky | čeština |
| Rozsah výuky | 2P+2L |
Anotace
Technologie elektronických součástek, jejich označování, standardnizace. Základní užívané technologie. Typy součástek: rezistory, kondenzátory, vf. cívy a transformátory. Životní cykly součástek, ekologické aspekty výroby součástek. \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD1M13VES \\Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/A1M13VES
Cíle studia
Studenti budou seznámeni s technologií výroby elektronických součástek, jejich vlastnostmi a metodami testování kvality součástek.
Osnovy přednášek
1. Vlastnosti elektrických obvodů
2. Technologie elektronických součástek, standardizace. Řady vybraných hodnot.
3. Konstrukce pevných rezistorů.
4. Vlastnosti pevných rezistorů různých konstrukcí.
5. Nelineární a proměnné rezistory.
6. Kondenzátory svitkové, keramické, elektrolytické.
7. Vlastnosti kondenzátorů, porovnání vlastností kondenzátorů různých konstrukcí.
8. Součástky s indukčností, VF cívky, tlumivky.
9. Transformátory - NF/VF, impulzní.
10. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení.
11. Polovodičové diody, PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry, charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky, bipolární tranzistory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
13. Tyristory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
14. Tranzistory FET, MOSFET, IGBT. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
2. Technologie elektronických součástek, standardizace. Řady vybraných hodnot.
3. Konstrukce pevných rezistorů.
4. Vlastnosti pevných rezistorů různých konstrukcí.
5. Nelineární a proměnné rezistory.
6. Kondenzátory svitkové, keramické, elektrolytické.
7. Vlastnosti kondenzátorů, porovnání vlastností kondenzátorů různých konstrukcí.
8. Součástky s indukčností, VF cívky, tlumivky.
9. Transformátory - NF/VF, impulzní.
10. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení.
11. Polovodičové diody, PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry, charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky, bipolární tranzistory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
13. Tyristory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.
14. Tranzistory FET, MOSFET, IGBT. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
Osnovy cvičení
1. Výklad úloh 1
2. Vlastnosti rezistorů při vysokých kmitočtech.
3. Nelinearita a šum rezistorů, nelineární rezistory.
4. Vlastnosti kondenzátorů při vysokých kmitočtech.
5. Feroelektrické kondenzátory.Elektrolytické kondenzátory, střadače elektrického náboje
6. VF cívky.
7. Výklad úloh 2
8. Impulzní a vysokofrekvenční transformátory
9. Teplotní závislost charakteristik diod, výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
10. Součástky s rozloženými parametry
12. Polovodičové spínače
13. Zesilovače A,B.C
14. Test, zápočet
2. Vlastnosti rezistorů při vysokých kmitočtech.
3. Nelinearita a šum rezistorů, nelineární rezistory.
4. Vlastnosti kondenzátorů při vysokých kmitočtech.
5. Feroelektrické kondenzátory.Elektrolytické kondenzátory, střadače elektrického náboje
6. VF cívky.
7. Výklad úloh 2
8. Impulzní a vysokofrekvenční transformátory
9. Teplotní závislost charakteristik diod, výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
10. Součástky s rozloženými parametry
12. Polovodičové spínače
13. Zesilovače A,B.C
14. Test, zápočet
Literatura
Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky, Praha, ČVUT, 2006
Lutz J.et all: Semiconductor Power Dewices: Phisics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011
Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006
Lutz J.et all: Semiconductor Power Dewices: Phisics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011
Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006
Požadavky
Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy, získá minimálmě 50% bodů dosažitelného počtu v závěrečném testu